El proyecto llamado MeMOSat consiste en producir memorias electrónicas permanentes (no volátiles), rápidas y miniaturizables, capaces de soportar ambientes tan adversos como los que tienen que transitar satélites, vehículos espaciales, reactores nucleares y fosas volcánicas.
Quince investigadores provenientes del CONICET, que trabajan en la CNEA, el INTI, la Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) y la Universidad Nacional de San Martín llevan adelante este proyecto tendiente a generar memorias más resistentes que las convencionales hechas con silicio y ya se encuentran en la etapa de prototipo. Están construidas utilizando óxidos y metales en capas que llegan a tener un espesor de 100 nanómetros (la diez millonésima parte de un metro).
Estas memorias, deberán estar adaptadas para sufrir altas dosis de radiación ionizante o temperaturas extremas, y los chips deberán mantener la información sin consumo de energía ni pérdidas de datos.
El arreglo de memorias tipo ReRAM son microfabricadas utilizando óxido de Titanio en la Sala Limpia del INTI (Inst. Nacional de Tecnología Industrial) y CAC-CNEA (Centro Atómico Constituyentes) por el doctorando Néstor Ghenzi.
Las intersecciones entre contactos metálicos definen cada bit de memoria, en este caso se observan 100 bits crecidos sobre un sustrato cuadrado de tres centímetros de lado. Hasta ahora, el dispositivo más pequeño fabricado por el equipo de científicos mide aproximadamente lo mismo que la marca de la punta de un alfiler al apoyarse sobre papel. Pero señala Pablo Levy: “Pretendemos reducir sus dimensiones laterales aún más, con el objetivo de empaquetar varias memorias en un tamaño aún más reducido”
[fuente: Instituto Leloir Video: Inconciente.com ]
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