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Samsung Electronics anunció que ya ha comenzado la producción en masa de chips de lógica avanzada utilizando su proceso de fabricación de 14 nanómetros FinFET LPP (Low-Power Plus), la segunda generación de su proceso de fabricación de 14 nanómetros FinFET LPE (Low-Power Early).

A principios del año pasado Samsung lanzó el procesador Exynos 7 Octa construido con la primer generación del proceso de fabricación.

Samsung indicó que este nuevo proceso es el que usaron para fabricar el procesador Exynos 8 Octa SoC (System on Chip) y el que usarán para fabricar los procesadores Qualcomm Snapdragon 820, los cuales se esperan comenzarán a usar en dispositivos móviles antes de Julio de este año.

La empresa coreana comentó que incorporando la estructura 3D FinFET en transistores, permite aumentar el rendimiento y disminuir el consumo de energía.  En números, la nueva generación del proceso permite incrementar la velocidad en un 15% y reducir el consumo de energía también en un 15% comparándolo contra el proceso de 14 nanómetros LPE.

A continuación tienen una infografía desarrollada por Samsung sobre el procesador Exynos 8 Octa SoC y la tecnología 14nm FinFET.

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